Инженер Института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике (ИНТЭЛ) Денис Борисенко выступил с докладом на международном семинаре по нитридным полупроводникам IWN в Канадзава (Япония).
Доклад был подготовлен по теме «Молекулярно-лучевая эпитаксия GaN и AlN на графене». Денис рассказал о проделанной работе: «Используя возможности наноцентра, мы провели эпитаксиальный рост плёнок нитрида галлия и нитрида алюминия на графене, синтезированном методом CVD, перенесённом на аморфную подложку кремния со слоем оксида. Новизна и актуальность данной работы заключается в том, что мы используем графен как буферный слой, который можем расположить на различных подложках. Это позволяет избавиться от использования дорогостоящих подложек карбида кремния, а также использовать подложки, на которых не возможен эпитаксиальный рост нитридных полупроводников хорошего качества. Следует отметить перспективу использования данной технологии для производства СВЧ приборов, мощных светодиодов и других устройств».
На семинаре к работе проявили интерес исследователи и представители коммерческих организаций из разных стран. Больше всего заинтересовались исследователи из Норвегии, Франции и Японии. Коллеги обменялись контактами с целью проведения совместных исследований по данной тематике.
