ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Структура
- 3 Электроника
- 10 Молекулярная физика
- 27 Микро- и наноэлектроника
- 67 Физика конденсированных сред
- 81 Физика микро- и наносистем
- Инжиниринговый центр
- Центр радиофотоники и СВЧ-технологий
- Центр экстремальной прикладной электроники
- Межведомственный центр компетенций развития радиофотоники
- Научно-исследовательская лаборатория «Низкотемпературные керамические технологии (LTCC) в микроэлектронике»
- Научно-исследовательская лаборатория «Разработка компонентов изделий твердотельной аналого-цифровой СВЧ электроники доверенного и экстремального назначения»
Наука
НОЦ «Нанотехнологии» был создан для проведения исследований и разработок в области некремниевой электроники, новых материалов и приборов.
Площадь около 1000 кв. м., 14 чистых комнат. Лучший из подобных центров в России. Мы работаем по принципу: Исследования → Технология → Прибор.
Разработка прорывных технологий устройств нового поколения для силовой электроники, СВЧ, оптоэлектроники и сенсорики на основе гетероструктур AIIIN/графен/кремний. Цель – создание унифицированной, низкозатратной технологии производства силовых, СВЧ, оптоэлектронных и сенсорных устройств различного назначения на основе гетероэпитаксиальных AIIIN структур и графена в комбинации с кремниевой КМОП технологией за счёт формирования высококачественных наноразмерных SiC и SiC/графен буферных слоёв на подложках кремния.
Нанофотоника, оптоэлектроника, терагерцовые материалы и технологии — область науки и техники, касающаяся проблем материалов, технологий и приборов, связанных с генерацией, преобразованием и регистрацией узкополосного и широкополосного электромагнитного излучения в т.ч. в инфракрасной и терагерцовой областях спектра, с учетом преимуществ использования новых материалов, нанотехнологий, фотонно-кристаллических структур, сверхбыстрых процессов динамики неравновесных носителей тока и когерентных процессов в низкоразмерных системах.
Создание сенсорных и актюаторных наноэлектромеханических элементов на базе кремниевых и керамических технологий микроэлектронной индустрии.
Генерация электромагнитного излучения при взаимодействии заряженных частиц с конденсированными средами, в том числе мощных импульсов терагерцового и рентгеновского излучения на компактных ускорителях.
Проведение фундаментальных и прикладных экспериментальных и теоретических исследований электрофизических и оптических свойств неупорядоченных органических полупроводников, а также разработка новых тонкоплёночных образцов и многослойных органических и гибридных гетероструктур для использования в качестве базовых элементов органической электроники.
Прохождение рентгеновских квантов и нейтронов через капиллярные структуры как разной природы, так и разной геометрии.
Применение масс-спектрометрии и спектрометрии ионной подвижности в актуальных задачах регистрации биологических нанодисперсных систем.
Спинтроника на основе 1D структур: разработка технологии формирования устойчивых длинных 1D кластеров магнитных атомов на высокоиндексных подложках для приборов с энергонезависимой работой. Разработка технологий «умных» функциональных наноматериалов для электронных приборов – «лаборатории на чипе», наносенсоров – дозаторов. Разработка технологий функциональных наноматериалов на основе нанопористых сред и композитов с уникальными транспортными свойствами.
Поведение вещества в экстремально сильных полях. Моделирование процессов создания материалов с уникальными свойствами для электроники и энергетики в сильных центробежных полях.
Информация:
- Беспроводная связь GSM, Wi-Fi, Bluetooth, GPS (СВЧ-транзисторы для усиления сигнала);
- Оптоволокно (лазеры для передатчиков, фотодетекторы);
- Микропроцессоры, преодоление закона Мура (размеры элементов <10 нм);
- Жесткие диски (спинтроника), флэш-память;
- Квантовые компьютеры – новый способ вычислений.
Энергетика:
- Солнечные батареи – на Земле и в космосе;
- Термоэлектрики;
- Преобразование постоянного и переменного тока (мощные транзисторы и диоды);
- Электроника для атомных электростанций;
- Энергосбережение (светодиоды).
Здоровье и безопасность:
- Терагерцовое излучение – просвечивает без вреда для организма. Системы безопасности аэропортов, медицинская диагностика;
- Мониторинг окружающей среды – сенсоры для определения состава вредных газов в атмосфере, опасных примесей в воде;
- Датчики взрывчатых веществ, срабатывающие от одной молекулы.
Поэтому мы проводим исследования в следующих важнейших областях:
- СВЧ-транзисторы и усилители на основе GaAs, InAs, InP;
- Мощные транзисторы на основе GaN и SiC;
- Транзисторы и другие приборы на основе графена;
- Органическая электроника – светодиоды, технологии для OLED дисплеев;
- Терагерцовая фотоника – источники ТГц излучения на основе фотопроводящих антенн, квантово-каскадных лазеров, компактных ускорителей электронов;
- Ионно-кластерные технологии – сверхточная полировка поверхностей (шероховатость менее 0,2 нм) для электроники, оптики и даже медицины;
- Спинтроника – новые материалы и наноструктуры для создания вычислительных систем и энергонезависимой памяти;
- Светодиоды – оптические, ультрафиолетовые;
- Датчики для измерения температуры и магнитного поля;
- Газовые сенсоры – ионизационные, химические, на основе нанотрубок и фотонных кристаллов.
Образование
Цель ИНТЭЛ — дать учащимся фундаментальные знания и практические навыки разработки и прототипирования современных электронных устройств: от компьютерного моделирования физических процессов и прогнозирования параметров разрабатываемых схем до исследования их характеристик и построения приборов на их основе.
Уникальная лабораторная база института позволяет студентам освоить практически все современные методы формирования и исследования электронных компонентов на основе уже используемых и даже самых новых перспективных материалов. Каждый студент ИНТЭЛ имеет возможность провести собственное актуальное исследование, по результатам которого спроектировать, разработать и изготовить свое электронное устройство.
Непрерывно совершенствуясь, мы предлагаем увлекательные программы и многочисленные возможности для обучения. Лаборатории института оснащены всеми необходимыми современными программными и аппаратными средствами, доступными студентам, как на бюджетной, так и на платной форме обучения.
Код | Направление |
---|---|
Бакалавриат | |
03.03.04 | Прикладная математика и физика |
11.03.04 | Электроника и наноэлектроника |
12.03.03 | Фотоника и оптоинформатика |
Специалитет | |
14.05.04 | Электроника и автоматика физических установок |
Магистратура | |
03.04.01 | Прикладная математика и физика |
11.04.04 | Ядерные физика и технологии Электроника и наноэлектроника |
12.03.03 | Фотоника и оптоинформатика |
Аспирантура | |
03.06.01 | Физика и астрономия |
09.06.01 | Информационная и вычислительная техника |
11.06.01 | Электроника, радиотехника и системы связи |
Руководство
Стриханов Михаил Николаевич, доктор физико-математических наук
Телефон: +7 (495) 788 56 99, доб. 9903
E-mail: MNStrikhanov@mephi.ru
Каргин Николай Иванович, проректор, заслуженный работник Высшей школы РФ, заслуженный деятель науки РФ, член Экспертного совета по проблемам интеграции образования, науки и промышленности Комитета Государственной Думы по образованию
Телефон: +7 (495) 788 56 99, доб. 8146
Веселов Денис Сергеевич, кандидат технических наук, доцент
Тел.: +7(495) 788-56-99, доб. 8992
E-mail: DSVeselov@mephi.ru
Егоров Антон Юрьевич, д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН
E-mail: AYEgorov@mephi.ru
Тел.: +7(495) 788-56-99, доб. 8992
E-mail: AYEgorov@mephi.ru
Достижения
- «Исследование новых материалов, способов и схем построения сверхвысокочастотного интегрального электрооптического модулятора для информационно-телекоммуникационных систем следующих поколений», РФФИ. Руководитель Васильевский И.С., каф.67
- «Исследование плазменных резонансов, возникающих при взаимодействии релятивистских электронов с метаноповерхностями», РФФИ Руководитель Сергеева Д.Ю.
- «Создание физических моделей компактного монохроматического источника излучения», РФФИ Руководитель Тищенко А.А.
- «Разработка каскадных схем для эффективного получения изотопомодифицированных материалов для топливных циклов перспективных ядерных реакторов и других приложений», РНФ Руководитель Смирнов А.Ю.
- «Коллективные динамические явления в нанофлюидных системах нанопористой среды», РНФ Руководитель Борман В.Д.
- «Создание теоретических основ для опережающего развития центробежных технлогий разделения изотопов» РНФ Руководитель Боговалов С.В.
- «Исследования механизма газовой чувствительности полупроводниковых МДП структур», РНФ Руководитель Самотаев Н.Н.
- «Разработка детекторов переходного излучения», РНФ Руководитель Смирнов А.Ю.
- «Цифровая обработка сигналов в специализированной интегральной микросхеме для многоканальных детекторов», РНФ Руководитель Шумихин В.В.
- «Теоретическое исследование неравновесного транспорта», РФФИ Руководитель Никитенко В.Р.
- «Метаповерхности как объект и инструмент диагностики», РНФ Руководитель Сергеева Д.Ю.
- «Исслледование влияния параметров лазерного излучения», РФФИ Руководитель Котковский Г.Е.
Так же на кафедрах и лабораториях нашего института ведутся разработки и моделирование деталей и приборов высокоточного анализа, таких как:
-
Усилительный модуль СВЧ средней и высокой мощности сантиметрового диапазона частот для использования в бортовой аппаратуре КА «Глонасс-К»
Усилительный модуль СВЧ средней мощности на гетероструктуре AlGaN/GaN диапазон рабочих частот 14…15 ГГц; коэффициент усиления на центральной частоте рабочего диапазона при компрессии 1 дБ – не менее 7 дБ; уровень максимальной выходной мощности в непрерывном режиме – не менее 7,5 Вт; номинальное напряжение питания («сток-исток») – не менее 48 В; коэффициент полезного действия (при компрессии по выходу 3 дБ) – не менее 30%;
-
Устройство обнаружения биологических аэрозолей на основе проточной оптической технологии «Триггер-БИО»
Создано автоматическое малогабаритное устройство обнаружения биологических аэрозолей, включающих вирусы, риккетсии, бактерии и бактериальные токсины, в реальном масштабе времени на основе проточно-оптической технологии с использованием светодиодов УФ-излучения. Шифр «Триггер-БИО». Неспецифическое экспресс-детектирование патогенных биологических агентов в воздухе осуществляется путем мониторинга приземного воздушного слоя и определения присутствия в отбираемой пробе потенциально опасного биологического аэрозоля на фоне аэрозоля мешающих примесей (почвенной пыли, пыльцы растений, спор грибов). В большинстве случаев методы определения основаны на проточно-оптической технологии. Суть технологии состоит в возбуждении и анализе флуоресценции и упругого рассеяния молекул биологических маркеров - ароматических аминокислот, NADH или флавинов при непрерывной прокачке воздушного потока через анализируемый объем. Особенностью технологии является возбуждение и регистрация спектральной информации от единичной частицы в потоке, непрерывная обработка этой информации путем сравнительного анализа интенсивностей рассеяния и люминесценции в выбранных спектральных диапазонах, сравнение результатов статистической обработки данных в виде образов аэрозолей в пространстве флуоресценции-рассеяния с базой данных и вынесение программой анализа решения о наличии биоаэрозоля в воздухе, либо о его отсутствии. К концу 2019 года был разработан опытный образец прибора и проведены его предварительные испытания. Испытания проводились на специализированной биоаэрозольной камере в ФГБУ «ФНИЦЭМ им. Н.Ф.Гамалеи». При этом получены рекордные характеристики по порогу обнаружения биоаэрозолей в воздушной среде: 7.10-7 мг/л. Время проведения анализа – 15 с.
-
Аппаратно-программный комплекс для защиты информационной инфраструктуры автотранспортных средств «Караван-МИФИ» и Способ формирования высоковольтного карбидкремниевого диода на основе ионно-легированных p-n-структур
Сотрудниками Инжинирингового центра НИЯУ МИФИ разработаны аппаратно-программный комплекс защиты информационной инфраструктуры автотранспортных средств «Караван-МИФИ» для создания отечественной интеллектуальной транспортной системы, удостоившийся золотой медали XVII Московского международного Салона изобретений и инновационных технологий «АРХИМЕД-2019» и способ формирования высоковольтного карбидокремниевого диода на основе ионно-легированных p-n-структур». За проделанную работу коллектив Центра был награжден серебряной медальюXVII Московского международного Салона изобретений и инновационных технологий «АРХИМЕД-2019».
-
Базовая технология радиационно-ориентированного проектирования
В рамках научных работ Центра экстремальной и прикладной электроники НИЯУ МИФИ получила развитие базовая технология радиационно-ориентированного проектирования широкой номенклатуры изделий СВЧ диапазона вида "система-на-кристалле" и "система в корпусе", ориентированная на отечественные кремниевые и арсенид-галлиевые контрактные производства. Предложенный подход обеспечит загрузку отечественных полупроводниковых фабрик заказами десятков дизайн – центров, сокращение сроков и стоимости разработки конкурентоспособной электронной компонентной базы твердотельной СВЧ электроники коммерческого, индустриального, космического и другого доверенного назначения.
-
GEANT4-моделирование одиночных сбоев в цифровых интегральных схемах
Предложен самосогласованный подход к моделированию частот одиночных сбоев от протонов по экспериментальной зависимости сечения сбоев от тяжелых заряженных частиц, и наоборот. Подход основан на Монте-Карло моделировании спектра линейных потерь энергии вторичных частиц, полученных при взаимодействии протонов с веществом. Метод расчета верифицирован на полетных данных частот сбоев в бортовой электронике космических аппаратов. Получена инженерная формула для оценочного пересчета сечения сбоев между данными по протонам и тяжелым заряженным частицам.