Форма поиска

Центр экстремальной прикладной электроники НИЯУ МИФИ

О центре

Подразделение создано для проведения и координации научных исследований и разработок НИЯУ МИФИ в сфере экстремальной электроники (электронная компонентная база, её материалы и компоненты, в том числе изделия микро- и наноэлектроники, электронные модули и радиоэлектронная аппаратура, предназначенные для экстремальных условий и режимов эксплуатации: при воздействии радиационных и электромагнитных факторов естественного и искусственного происхождения, крайних значений электрических режимов и диапазонов рабочих температур, агрессивных сред) и создания инновационных технологий для атомного, космического и оборонного комплексов, укрепления взаимодействия с государственными заказчиками радиоэлектронной продукции.

 

Центр экстремальной прикладной электроники* (ЦЭПЭ) является экспертной организацией Департамента радиоэлектронной промышленности (ДРЭП) Минпромторга России по оценке и контролю радиационной стойкости электронной компонентной базы (ЭКБ).

Создание экспертной научно-исследовательской организации (ЭО) по оценки и контролю радиационной стойкости ЭКБ ДРЭП Минпромторга России на базе ЦЭПЭ НИЯУ МИФИ утверждено положением от 17.03.2015 г., подписанным директором ДРЭП. ЭО предназначена для содействия выполнению функций в части радиационной стойкости по общему научно-техническому руководству работами по развитию, унификации, стандартизации и применению электронной компонентной базы (ЭКБ), материалов и технологий для их создания, в том числе обеспечение разработки, производства и эксплуатации вооружения, военной и специальной техники и других стратегически значимых объектов государственного и промышленного назначения.

 


Основные направления научной деятельности
  • Развитие и широкая практическая реализация базовой технологии контроля, оценки и прогнозирования радиационной стойкости электронной компонентной базы (ЭКБ), электронных модулей (ЭМ), радиоэлектронной аппаратуры (РЭА);
  • Разработка и применение расчетно-экспериментальных методов, аппаратных и программных средств, автоматизированных измерительно-испытательных комплексов;
  • Фундаментально-поисковые исследования, испытательные, прикладные научно-исследовательские, опытно-конструкторские, прогнозные, экспертные и внедренческие работы по созданию и развитию ЭКБ, ЭМ и РЭА, а также новых технологических процессов и перспективных материалов для них;
  • Технологическое, топологическое, схемотехническое, конструкционное и системное проектирование ЭКБ, ЭМ и РЭА;
  • Разработка и внедрение средств экологического и радиационного контроля и мониторинга окружающей среды, ресурсосберегающих и экологически чистых технологий при производстве ЭКБ, ЭМ и РЭА;
  • Создание и развитие методов и технических средств идентификации подлинности ЭКБ и ЭМ и выявления контрафактной продукции.

 

По закрепленным направлениям деятельности ЦЭПЭ тесно взаимодействует с Институтом функциональной ядерной электроники и Институтом промышленных ядерных технологий НИЯУ МИФИ, с Советами главных конструкторов различных отраслей промышленности, нуждающихся в радиационно-стойкой ЭКБ, представители ЦЭПЭ входят в состав экспертных комиссий федеральных органов исполнительной власти.


Основные значимые результаты
  • За время своего существования ЦЭПЭ принял участие в качестве головной организации и соисполнителя в более 90 НИОКР, выполняемых по заказам министерств, ведомств, крупных интегрированных структур, по созданию и испытаниям радиационно-стойкой ЭКБ, разработке научно-методических основ ее проектирования и изготовления, разработке методов и средств проведения радиационных испытаний ЭКБ.
  • Специалисты ЦЭПЭ участвовали в экспертизе более 250 технических требований к разрабатываемой ЭКБ, ими проведена оценка более 500 программ-методик испытаний, эксперты ЦЭПЭ НИЯУ МИФИ приняли участие в более 200 государственных комиссий по приемке ОКР на изделия ЭКБ.
  • В составе Научно-образовательного центра «Стойкость» в 2016 году ЦЭПЭ получил «Золотой Чип» – независимую награду за достижения в области электроники.

    Конкурс «Золотой Чип» на протяжении 14 лет является главным инструментом общественной профессиональной экспертизы разработок и проектов по электронике и зарекомендовал себя как серьезное отраслевое событие, получившее поддержку Депутатов Государственной Думы Российской Федерации, Департамента радиоэлектронной промышленности Министерства промышленности и торговли Российской Федерации, Департамента науки, промышленной политики и предпринимательства города Москвы, ГК «Ростехнологии», ГК «РОСАТОМ», Московской торгово-промышленной палаты, Гильдии выставочно-ярмарочных организаций МТПП и крупнейших предприятий отрасли.

  • Ежегодно специалисты ЦЭПЭ участвуют и выступают с докладами не менее чем в 10 конференциях отраслевого, межотраслевого и международного уровней, включая наиболее престижную конференцию по тематике радиационной стойкости RADECS. Количество статей и докладов сотрудников ЦЭПЭ, индексируемых в Scopus и Web of Science, составляет в среднем от 20 до 50 работ в год.

 

Руководитель подразделения

Телец Виталий Арсеньевич, д.т.н., профессор, директор

Контакты

Тел.: +7 499 324-0420

E-mail: VATelets@mephi.ru

 


 

* Центр экстремальной прикладной электроники – Институт экстремальной прикладной электроники до 2018 г. Переименован согласно Приказу от 28.05.2018 №148/1 «О внесении изменений в структуру университета».

Ошибка в тексте: