Ученые МИФИ провели исследование влияния материала и расположения подзатворного диэлектрика на основе пленок Si3N4 и SiO2 на выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора, каналом которого являлась графеносодержащая пленка. В процессе работы изготовлена тестовая структура графенового транзистора с верхним и нижним затвором. Графен был получен методом химического осаждения из газовой фазы, затем перенесен на оксид кремния на кремнии. Канал транзистора был сформирован методом травления в кислородной плазме через фотолитографическую маску. Металлы электродов стока, истока и затвора были нанесены методом резистивного испарения в вакууме.
Работа выполнена с использованием оборудования центра коллективного пользования НИЯУ МИФИ «Гетероструктурная СВЧ-электроника и физика широкозонных полупроводников» при финансовой поддержке государства в лице Минобрнауки России.
